동효정 기자 = 삼성전자가 10나노 초반대 D램인 1b(5세대·12~13나노급) 연구개발(R&D)이 안정적으로 진행돼 양산 일정에 차질이 없을것이라고 밝혔다.

28일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 한진만 삼성전자 부사장은 "1b 12나노 기술 개발을 스킵(중도포기)한다는 것은 사실이 아니며 중장기 기술 로드맵에 따라 개발을 진행해 기존 양산 일정에 차질이 없다"고 밝혔다.

업계에서는 삼성전자가 1b(5세대·12~13나노급) 개발을 건너 뛰고 1c(6세대·11~12나노급) 개발에 나선다는 관측이 나왔다. 삼성전자는 과거 28나노 D램 양산을 포기하고 25나노 개발에 성공했다.

한 부사장은 "D램 공정 난이도가 급격하게 증가하는 상황에서 공정 난이도 상승의 한계를 돌파하기 위해 업계 최초로 EUV를 D램에 도입했고, EUV같은 새로운 기술 도입하다보면 일부 계획 변경도 된다"고 설명했다.

한 부사장은 "메모리 수요가 일반 소비자에서 IT 인프라로 확장하면서 성숙한 기술의 제품을 적기에 제공하는 능력이 중요해지고 있다"면서 "수율 안정성과 원가 절감 등을 통해 디자인으로 최적화해가는 과정은 자연스러운 일이며 비슷한 상황은 과거에도 발생해왔다"고 말했다.

그는 "이번 역시 (공정을) 최적화 하고 있으며 12나노 개발 계획이 안정적으로 진행되는 것으로 이해 바란다"며 "중장기 기술 로드맵 따른 개발 계획에 맞춰 진행 예정"이라고 강조했다.

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